① 第三代半导体材料爆发！氮化镓站上最强风口
随着市场对半导体性能的要求不断提高，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势开始崭露头角，成为行业未来重要增长点。
相对于第一代（硅基）半导体，第三代半导体禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力。
氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。
氮化镓、高电流密度等优势，可显着减少电力损耗和散热负载，迅速应用于变频器、稳压器、变压器、无线充电等领域，是未来最具增长潜质的化合物半导体。
与GaAs和InP等高频工艺相比，氮化镓器件输出的功率更大；与LDCMOS和SiC等功率工艺相比，氮化镓的频率特性更好。
随着行业大规模商用，GaN生产成本有望迅速下降，进一步刺激GaN器件渗透，有望成为消费电子领域下一个杀手级应用。
GaN主要应用于生产功率器件，目前氮化镓器件有三分之二应用于军工电子，如军事通讯、电子干扰、雷达等领域。
在民用领域，氮化镓主要被应用于通讯基站、功率器件等领域。氮化镓基站PA的功放效率较其他材料更高，因而能节省大量电能，且其可以几乎覆盖无线通讯的所有频段，功率密度大，能够减少基站体积和质量。
氮化镓在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。随着5G高频通信的商业化，GaN将在电信宏基站、真空管在雷达和航空电子应用中占有更多份额。
根据Yole估计，大多数Sub 6GHz的蜂窝网络都将采用氮化镓器件，因为LDMOS无法承受如此之高的频率，而砷化镓对于高功率应用又非理想之选。
同时，由于较高的频率会降低每个基站的覆盖范围，需要安装更多的晶体管，因此市场规模将迅速扩大。
Yole预测，GaN器件收入目前占整个市场20%左右，到2025年将占到50%以上，氮化镓功率器件规模有望达到4.5亿美元。
从产业链方面来看，氮化镓分为衬底、外延片和器件环节。
尽管碳化硅被更多地作为衬底材料（相较于氮化镓），国内仍有从事氮化镓单晶生长的企业，主要有苏州纳维、东莞中镓、上海镓特和芯元基等。
从事氮化镓外延片的国内厂商主要有三安光电、赛微电子、海陆重工、晶湛半导体、江苏能华、英诺赛科等。
从事氮化镓器件的厂商主要有三安光电、闻泰 科技 、赛微电子、聚灿光电、乾照光电等。
GaN技术的难点在于晶圆制备工艺，欧美日在此方面优势明显。由于将GaN晶体熔融所需气压极高，须采用外延技术生长GaN晶体来制备晶圆。
其中日本住友电工是全球最大GaN晶圆生产商，占据了90%以上的市场份额。GaN全球产能集中于IDM厂商，逐渐向垂直分工合作模式转变。美国Qorvo、日本住友电工、中国苏州能讯等均以IDM模式运营。
近年来随着产品和市场的多样化，开始呈现设计业与制造业分工的合作模式。
尤其在GaN电力电子器件市场，由于中国台湾地区的台积电公司和世界先进公司开放了代工产能，美国Transphorm、EPC、Navitas、加拿大GaN Systems等设计企业开始涌现。
在射频器件领域，目前LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）、GaAs（砷化镓）、GaN（氮化镓）三者占比相差不大，但据Yoledevelopment预测，至2025年，砷化镓市场份额基本维持不变的情况下，氮化镓有望替代大部分LDMOS份额，占据射频器件市场约50%的份额。
GaAs芯片已广泛应用于手机/WiFi等消费品电子领域，GaN PA具有最高功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度略低，目前在近距离信号传输和军工电子方面应用较多。
经过多年的发展，国内拥有昂瑞微、华为海思、紫光展锐、卓胜微、唯捷创芯等20多家射频有源器件供应商。
根据2019年底昂瑞微董事长发表的题为《全球5G射频前端发展趋势和中国公司的应对之策》的报告显示，截至报告日，国内厂家在2G/3G市场占有率高达95%；在4G方面有30%的占有率，产品以中低端为主，销售额占比仅有10%。
目前我国半导体领域为中美 科技 等领域摩擦中的卡脖子方向，是中国 科技 崛起不可回避的环节，产业链高自主、高可控仍是未来的重点方向。第三代半导体相对硅基半导体偏低投入、较小差距有望得到重点支持，并具备弯道超车的可能。
② 出货量突破3亿颗，英诺赛科GaN技术成就新里程碑
英诺赛科在2023年8月成功突破3亿颗氮化镓芯片的出货量，展现出了其在半导体领域的卓越实力。自2022年12月突破1亿颗，至2023年Q1再突破5000万颗，英诺赛科的出货量仅用不到半年时间就翻了一番，显示出强劲的增长势头和市场竞争力。该公司的GaN芯片产品广泛应用于消费类电子产品（如快充、手机、LED）、汽车激光雷达、数据中心、新能源与储能等多个领域，为客户提供小体积、高能效、低损耗的产品解决方案。
氮化镓，作为第三代半导体材料的代表，具有高击穿电场、高热导率、高电子迁移率、高工作温度等显着优势。相较于硅基器件，氮化镓器件能够在更高温、更高频率、更大功率及抗辐射条件下工作，广泛应用于射频通信、雷达、卫星、电源管理、汽车电子、工业电力电子等高要求领域。
英诺赛科自2017年开启全球首条8英寸硅基氮化镓量产线，采用IDM模式，成功研发并量产了8英寸硅基氮化镓晶圆。2018年，英诺赛科推出全球首款低压氮化镓功率器件，并于2019年通过JEDEC认证，成为全球唯一同时量产高压和低压氮化镓的半导体公司。2021年，英诺赛科推出全球首款应用于高压侧负载开关、智能手机USB/无线充电端口内置OVP保护、多电源系统中的开关电路等场景的GaN芯片，并在2022年研发的INN100W032A荣获IIC全球电子成就奖，产品已广泛应用于电机驱动、Class D、数据中心、motor driver、通信基站等领域。
英诺赛科作为IDM厂商，在氮化镓技术的积累和应用上展现出卓越的创新能力和市场适应性。从消费电子到工业电源、汽车电子，英诺赛科的产品涵盖了晶圆、分立器件、合封芯片三大品类，满足了不同应用场景的需求。在消费电子领域，氮化镓技术的应用从快充市场逐步扩展至手机内部充电保护，甚至深入到手机内部电源开关领域，为市场带来了高效能、小体积、低发热的产品解决方案。
在汽车应用和工业电源领域，英诺赛科成功布局了激光雷达和工业电源市场，通过技术创新实现了大规模量产。随着能源危机和绿色低碳发展趋势的影响，工业市场对高效、节能产品的需求日益增长，氮化镓技术成为了关键的降本增效手段。在汽车电气化的大背景下，英诺赛科通过IATF 16949车规级认证，将氮化镓技术应用至自动驾驶汽车的激光雷达系统中，引领了行业的发展趋势。
英诺赛科通过持续的技术创新和市场拓展，不仅在消费电子领域取得了显着进展，还成功进入工业电源、汽车电子等多个领域，为半导体产业带来了全新的机遇和前景。凭借先进的研发制造平台和IDM模式的优越性，英诺赛科将推动行业迈入氮化镓技术发展的新赛道，为市场提供高效、节能、可靠的产品与解决方案。